硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。

目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）

湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

新的平坦化方法有哪几个？（）

CE定律发展面临的问题包括（）。

如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）

下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）

三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。

当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为（）。

IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。