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图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线,请画出Id2的大致变化,并说明Id1和Id2有什么不同,并解释不同的主要原因。
题型:问答题
编写DRC版图验证文件的主要依据是什么?
题型:问答题
从设计的观点出发,版图设计规则应包括哪些部分?
题型:问答题
集成电容主要有几种结构?
题型:问答题
由硅片生产的半导体产品,又被称为()。
题型:多项选择题
MOS场效应管(MOSFET)在20世纪70年代得到了广泛的接受,从那时起到现在一直是集成电路的主流晶体管。MOSFET有两类()和()。每种类型可由各自器件的多数载流子来区别。
题型:多项选择题
集成电路电阻可以通过()产生。
题型:多项选择题
把半导体级硅的多晶硅块,转换成一块大的单晶硅的过程,称作()。生长后的单晶硅被称为()。
题型:单项选择题
根据图,给出M2管的漏极电流表达式。
题型:问答题
规定版图几何设计规则的意义是什么?
题型:问答题