A、M+K
B、P+F
C、B下
D、M+P
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A、淬火+低温回火
B、渗碳+淬火+低温回火
C、淬火+中温回火
D、氮化+淬火+低温回火
A、F+Fe3CIII
B、F+P
C、P+Fe3CII
D、P+Fe3CIII
A、完全退火
B、球化退火
C、再结晶退火
D、等温退火
A、F+G
B、F+P+G
C、P+G
D、Ld+G
A、铝基轴承合金
B、铅基轴承合金
C、铜基轴承合金
D、锌基轴承合金
A、L+α→β
B、L→α+β
C、γ→α+β
D、α+β→γ
A、Q235
B、45
C、60Si2Mn
D、T12
A、0.02%
B、0.77%
C、2.11%
D、4.3%
A、0.0008%
B、0.021%
C、0.77%
D、2.11%
A、淬火+低温回火
B、渗碳后淬火+低温回火
C、调质后表面淬火
D、正火
最新试题
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
下列哪个不是单晶常用的晶向()
可用作硅片的研磨材料是()
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
下列是晶体的是()。
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。