下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）

下列哪个不是单晶常用的晶向（）

如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。

原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）

在通常情况下，GaN呈（）型结构。

最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。

改良西门子法的显著特点不包括（）

把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。

表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；

如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。