最新试题
硅片抛光在原理上不可分为()
题型:单项选择题
用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
题型:单项选择题
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
题型:单项选择题
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
题型:单项选择题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
题型:单项选择题
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
题型:单项选择题
热处理中氧沉淀的形态不包括()
题型:单项选择题
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()
题型:单项选择题
在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()
题型:单项选择题
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
题型:单项选择题