最新试题
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
题型:单项选择题
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
题型:单项选择题
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
题型:单项选择题
载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
题型:单项选择题
下列是晶体的是()。
题型:单项选择题
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
题型:单项选择题
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
题型:单项选择题
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
题型:单项选择题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
题型:单项选择题
PN结的基本特性是()
题型:单项选择题