制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（）

改良西门子法的显著特点不包括（）

下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）

与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）

把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。

那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）

铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（）

最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。

杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）

影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；