最新试题
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
题型:单项选择题
用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
题型:单项选择题
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
题型:单项选择题
悬浮区熔的优点不包括()
题型:单项选择题
载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
题型:单项选择题
在通常情况下,GaN呈()型结构。
题型:单项选择题
在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()
题型:单项选择题
铸造多晶硅中氢的主要作用包括()
题型:多项选择题
改良西门子法的显著特点不包括()
题型:单项选择题
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
题型:单项选择题