问答题影响谱带(位移)的因素有哪些?说明其影响规律和原因?
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1.问答题什么是色相色谱法?
2.单项选择题直拉单晶中氧含量头部和尾部相比()。
A.较高
B.相同
C.较低
D.无法判断
3.单项选择题X射线定向法的误差可以控制在范围内,准确度高。()
A.±10'
B.±15'
C.±20'
D.±30'
4.单项选择题下列哪一项不是天然水的三大杂质?()
A.悬浮物质
B.挥发物质
C.胶体物质
D.溶解物质
5.单项选择题失效表明离子交换树脂可供交换的()大为减少。
A.Cl¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
6.单项选择题悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间()左右。
A.3min
B.5min
C.7min
D.10min
7.单项选择题光图定向法结果直观,操作(),误差()。
A.简单较大
B.复杂较大
C.简单较小
D.复杂较小
8.单项选择题()是影响硅器件成品率的一个重要因素,也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。
A.点缺陷
B.线缺陷
C.面缺陷
D.微缺陷
9.单项选择题用冷热探笔法测量()半导体时,冷端带正电,热端带负电。
A.P型
B.N
C.PN型
D.以上皆不是
10.填空题半导体材料的电阻率与(),以及载流子迁移率有关。
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晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题
MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
题型:判断题
晶体管正常使用过程中,处于正偏的PN结是()结,处于反偏的PN结是()结。
题型:填空题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
题型:判断题
处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
题型:判断题
MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
题型:判断题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题
绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题