单项选择题直拉单晶中氧含量头部和尾部相比()。
A.较高
B.相同
C.较低
D.无法判断
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1.单项选择题X射线定向法的误差可以控制在范围内,准确度高。()
A.±10'
B.±15'
C.±20'
D.±30'
2.单项选择题下列哪一项不是天然水的三大杂质?()
A.悬浮物质
B.挥发物质
C.胶体物质
D.溶解物质
3.单项选择题失效表明离子交换树脂可供交换的()大为减少。
A.Cl¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
4.单项选择题悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间()左右。
A.3min
B.5min
C.7min
D.10min
5.单项选择题光图定向法结果直观,操作(),误差()。
A.简单较大
B.复杂较大
C.简单较小
D.复杂较小
6.单项选择题()是影响硅器件成品率的一个重要因素,也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。
A.点缺陷
B.线缺陷
C.面缺陷
D.微缺陷
7.单项选择题用冷热探笔法测量()半导体时,冷端带正电,热端带负电。
A.P型
B.N
C.PN型
D.以上皆不是
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()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
题型:填空题
栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。
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双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
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晶体管正常使用过程中,处于正偏的PN结是()结,处于反偏的PN结是()结。
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半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
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MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
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处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。
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氧化铝(Al2O3)的介电常数一般低于氮化硅(Si3N4)的介电常数。
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“合金型晶体管”,“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中,目前生产最主要的一种是()。
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