填空题硅半导体的导电过程存在()和空穴两种载流子。
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
最新试题
处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
题型:判断题
()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
题型:填空题
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
题型:判断题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
MOS管可以分为4类型,其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。
题型:判断题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
题型:判断题
双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
题型:填空题
处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。
题型:判断题