目前测定硅单晶中的氧，碳含量最常用的方法（）收法。

填空题目前测定硅单晶中的氧，碳含量最常用的方法（）收法。

1.填空题当任何一种高速运动的（）与一块金属物质相撞时，都会产生X射线。

2.填空题晶体中最邻近的两个平行晶面间的距离称为晶面间距，晶面指数最低的晶面总是具有（）的晶面间距。

3.填空题在晶体学上，选取与宏观晶体有同样对称性的平行六面体来作为（），它构成体的最小单位。

4.填空题电类型测量的具体方法（），三探针法，四探针法，

5.填空题硅单晶的（）是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素，它们是三价的还是五价的，可以将单晶化分为P型和N型两大类。

6.填空题金相显微镜（），照明系统，机械系统几部分构成。

7.填空题电阻率条纹上没有微缺陷蚀坑，宏观上看不见小白点，腐蚀面为镜面，这是（）和电阻率条纹最重要的区别。

8.填空题半导体晶体缺陷可以分为（）和微观缺陷，以及点阵应变和表面机械损伤。

9.填空题快速腐蚀时一般不受光照影响，而慢速腐蚀时（）影响比较大。

10.填空题目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法，一般可分为两大类，（），稳态法（间接法）。