填空题在晶体学上,选取与宏观晶体有同样对称性的平行六面体来作为(),它构成体的最小单位。
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氧化铝(Al2O3)的介电常数一般低于氮化硅(Si3N4)的介电常数。
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P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
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MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
题型:判断题
绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
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1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
题型:判断题
“合金型晶体管”,“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中,目前生产最主要的一种是()。
题型:填空题
处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。
题型:判断题
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
题型:判断题
N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
题型:判断题