电类型测量的具体方法（），三探针法，四探针法，

填空题电类型测量的具体方法（），三探针法，四探针法，

1.填空题硅单晶的（）是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素，它们是三价的还是五价的，可以将单晶化分为P型和N型两大类。

2.填空题金相显微镜（），照明系统，机械系统几部分构成。

3.填空题电阻率条纹上没有微缺陷蚀坑，宏观上看不见小白点，腐蚀面为镜面，这是（）和电阻率条纹最重要的区别。

4.填空题半导体晶体缺陷可以分为（）和微观缺陷，以及点阵应变和表面机械损伤。

5.填空题快速腐蚀时一般不受光照影响，而慢速腐蚀时（）影响比较大。

6.填空题目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法，一般可分为两大类，（），稳态法（间接法）。

7.填空题非平衡载流子的寿命ζ，就是反映（）的参数。

8.填空题四探针法测试，C的大小取决于四探针的（）和针距。

9.填空题（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。

10.填空题目前国内外导电类型测量有两种（），整流效应法。