填空题目前国内外导电类型测量有两种(),整流效应法。
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N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
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处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。
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第一块集成电路发明于()年。
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MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题
MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。
题型:判断题
MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
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栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
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半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
题型:判断题