问答题离子源的目的是什么?最常用的离子源是什么?
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MOS管阈值电压的单位是eV。
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“合金型晶体管”,“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中,目前生产最主要的一种是()。
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MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
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()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
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N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
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理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上,栅极分压占比小于50%。
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N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
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当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
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晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题