问答题例举离子注入设备的5个主要子系统。
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MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
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晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
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P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
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p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
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MOS的输出特性曲线中,给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
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MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
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N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
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双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
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半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
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