“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的控制作用。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。