解释离子束扩展和空间电荷中和。

问答题解释离子束扩展和空间电荷中和。

1.问答题离子源的目的是什么？最常用的离子源是什么？

目的：使待注入的物质以带电粒子束的形式存在
最常用的源：Freeman离子源和Bernas离子源

2.问答题例举离子注入设备的5个主要子系统。

3.问答题例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。

4.问答题例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

5.问答题什么是结深？

硅片中p型杂质和n型杂质相遇的深度被称为结深。

6.问答题叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。

7.问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

8.问答题定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？

9.问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

连续喷雾显影，旋覆浸没显影显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。

10.问答题解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？

光刻胶选择比是指显影液与曝光的光刻胶反应的速度快慢，选择比越高，反应速度越快，所以要比例高。