最新试题
MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
题型:判断题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
题型:判断题
MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
题型:判断题
晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题
()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
题型:填空题
双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
题型:填空题
绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题