填空题非平衡载流子的寿命ζ,就是反映()的参数。
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半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
题型:填空题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
“合金型晶体管”,“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中,目前生产最主要的一种是()。
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题型:判断题
()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
题型:填空题
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题型:判断题
N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
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题型:判断题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
题型:判断题
MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题