最新试题
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
题型:判断题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题
p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
题型:判断题
MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
题型:填空题
栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。
题型:判断题
MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
题型:判断题
半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
题型:填空题
双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
题型:填空题