单项选择题参杂硼元素的半导体是().
A.p型半导体
B.本征半导体
C.N型半导体
D.pn结
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1.单项选择题下列不属于三氯氢硅性质的是()。
A、无色透明
B、易燃易爆
C、不易挥发和水解
D、有刺激性气味
2.单项选择题下列不属于工业吸附要求的是()。
A.具有较大的内表面,吸附容量大
B.具有一定的机械强度,耐热冲击,耐腐蚀
C.不易得,昂贵
D.容易再生
3.单项选择题下列与硼氧复合体缺陷无关的是()。
A、氧
B、硼
C、温度
D、湿度
4.单项选择题尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性,如果晶转过高,会导致固液界面的形状()。
A、形状太凹
B、形状太凸
C、过于平整
D、无变化
5.单项选择题通过()改变驱动力场,借以控制生长系统中的成核率,这是晶体生长工艺中经常使用的方法。
A、温度场
B、磁场
C、重力场
D、电场
6.单项选择题硅的晶格结构和能带结构分别是().
A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型
7.单项选择题固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中,在()摄氏度以上进行常规热处理。
A、300
B、400
C、500
D、600
8.单项选择题如果半导体中存在多种杂质,在通常情况下,可以认为基本上属于杂质饱和电离范围,其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为().
A.1/(NA-ND.eup
B.1/(NA-ND.eC.up/(NA-ND.e
D.1/(NA+ND.eup
10.问答题从微观上看,漩涡缺陷与错位缺陷有什么区别?
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MOS的输出特性曲线中,给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
题型:判断题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题
MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
题型:判断题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
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半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
题型:填空题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
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MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题
处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。
题型:判断题