MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

1947年，（）等人制造了第一个晶体管。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。