处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。

晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。

晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。