半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。

半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。

第一块集成电路发明于（）年。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

1947年，（）等人制造了第一个晶体管。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。