1947年，（）等人制造了第一个晶体管。

半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。

处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的控制作用。

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。

“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。