P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。