问答题简诉连续X射线谱的特征？
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1.问答题X射线所必须具备的条件？
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3.问答题伸缩振动与弯曲振动的频率哪个高？
5.问答题什么是色相色谱法？
6.单项选择题直拉单晶中氧含量头部和尾部相比（）。
A.较高
B.相同
C.较低
D.无法判断
7.单项选择题X射线定向法的误差可以控制在范围内，准确度高。（）
A.±10＇
B.±15＇
C.±20＇
D.±30＇
8.单项选择题下列哪一项不是天然水的三大杂质？（）
A.悬浮物质
B.挥发物质
C.胶体物质
D.溶解物质
9.单项选择题失效表明离子交换树脂可供交换的（）大为减少。
A.Cｌ¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
10.单项选择题悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间（）左右。
A.3ｍｉｎ
B.5ｍｉｎ
C.7ｍｉｎ
D.10ｍｉｎ
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半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
题型：判断题
MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
题型：判断题
N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。
题型：判断题
MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型：判断题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型：判断题
半导体的主要特征有（）（）（）和（）。
题型：填空题
氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。
题型：判断题
栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型：判断题
理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。
题型：判断题
“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。
题型：填空题