问答题X射线所必须具备的条件?
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5.单项选择题直拉单晶中氧含量头部和尾部相比()。
A.较高
B.相同
C.较低
D.无法判断
6.单项选择题X射线定向法的误差可以控制在范围内,准确度高。()
A.±10'
B.±15'
C.±20'
D.±30'
7.单项选择题下列哪一项不是天然水的三大杂质?()
A.悬浮物质
B.挥发物质
C.胶体物质
D.溶解物质
8.单项选择题失效表明离子交换树脂可供交换的()大为减少。
A.Cl¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
9.单项选择题悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间()左右。
A.3min
B.5min
C.7min
D.10min
10.单项选择题光图定向法结果直观,操作(),误差()。
A.简单较大
B.复杂较大
C.简单较小
D.复杂较小
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MOS管阈值电压的单位是eV。
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当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
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p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
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理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上,栅极分压占比小于50%。
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半导体的主要特征有()()()和()。
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N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
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()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
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