问答题产生红外吸收的条件是什么？
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4.单项选择题直拉单晶中氧含量头部和尾部相比（）。
A.较高
B.相同
C.较低
D.无法判断
5.单项选择题X射线定向法的误差可以控制在范围内，准确度高。（）
A.±10＇
B.±15＇
C.±20＇
D.±30＇
6.单项选择题下列哪一项不是天然水的三大杂质？（）
A.悬浮物质
B.挥发物质
C.胶体物质
D.溶解物质
7.单项选择题失效表明离子交换树脂可供交换的（）大为减少。
A.Cｌ¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
8.单项选择题悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间（）左右。
A.3ｍｉｎ
B.5ｍｉｎ
C.7ｍｉｎ
D.10ｍｉｎ
9.单项选择题光图定向法结果直观，操作（），误差（）。
A．简单较大
B．复杂较大
C．简单较小
D．复杂较小
10.单项选择题（）是影响硅器件成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。
A.点缺陷
B.线缺陷
C.面缺陷
D.微缺陷
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栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。
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P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。
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