栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

MOS管阈值电压的单位是eV。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。