MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

MOS管阈值电压的单位是eV。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。