问答题简述光图定向的基本原理。
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MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
题型:判断题
理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上,栅极分压占比小于50%。
题型:判断题
MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
题型:判断题
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
题型:判断题
N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
题型:判断题
晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题