N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

第一块集成电路发明于（）年。

半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。

处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的控制作用。

晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。