MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。

第一块集成电路发明于（）年。

晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。