MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。