N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。