单项选择题下列不属于工业吸附要求的是()。
A.具有较大的内表面,吸附容量大
B.具有一定的机械强度,耐热冲击,耐腐蚀
C.不易得,昂贵
D.容易再生
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1.单项选择题下列与硼氧复合体缺陷无关的是()。
A、氧
B、硼
C、温度
D、湿度
2.单项选择题尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性,如果晶转过高,会导致固液界面的形状()。
A、形状太凹
B、形状太凸
C、过于平整
D、无变化
3.单项选择题通过()改变驱动力场,借以控制生长系统中的成核率,这是晶体生长工艺中经常使用的方法。
A、温度场
B、磁场
C、重力场
D、电场
4.单项选择题硅的晶格结构和能带结构分别是().
A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型
5.单项选择题固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中,在()摄氏度以上进行常规热处理。
A、300
B、400
C、500
D、600
6.单项选择题如果半导体中存在多种杂质,在通常情况下,可以认为基本上属于杂质饱和电离范围,其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为().
A.1/(NA-ND.eup
B.1/(NA-ND.eC.up/(NA-ND.e
D.1/(NA+ND.eup
9.问答题X射线衍射与光反射的区别?
10.问答题为什么电化学腐蚀会产生电位差?它的原因是什么?
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绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。
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N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
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1947年,()等人制造了第一个晶体管。
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P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
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MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
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氧化铝(Al2O3)的介电常数一般低于氮化硅(Si3N4)的介电常数。
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双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
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MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
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()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
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