下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）。

单项选择题下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）。

A、氧
B、硼
C、温度
D、湿度

1.单项选择题尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如果晶转过高，会导致固液界面的形状（）。

A、形状太凹
B、形状太凸
C、过于平整
D、无变化

2.单项选择题通过（）改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常使用的方法。

A、温度场
B、磁场
C、重力场
D、电场

3.单项选择题硅的晶格结构和能带结构分别是（）.

A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型

4.单项选择题固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（）摄氏度以上进行常规热处理。

A、300
B、400
C、500
D、600

5.单项选择题如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.

A.1/（NA-ND.eｕp
B.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.e
D.1/（NA+ND.eｕp

6.问答题用冷热探笔法测量P型半导体时，为什么冷端带正电，热端带负电？

7.问答题从微观上看，漩涡缺陷与错位缺陷有什么区别？

8.问答题X射线衍射与光反射的区别？

9.问答题为什么电化学腐蚀会产生电位差？它的原因是什么？

10.问答题冷热探笔法测试硅单晶的原理是什么？