MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

1947年，（）等人制造了第一个晶体管。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。