问答题半导体工艺技术的主要掺杂工艺包括哪两种？
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1.问答题杂质在硅中的扩散方式有哪些？
2.问答题二氧化硅结构中的氧原子可分为哪几种？
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4.问答题自掺杂效应与互扩散效应
6.问答题外延工艺按方法可分为哪些？
9.单项选择题正常凝固是最宽熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段（）.
A、能
B、不能
C、不确定
D、有时可以，有时不可以
10.单项选择题当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.
A.上升
B.下降
C.不变
D.不确定
最新试题
双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。
题型：填空题
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
题型：判断题
MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型：判断题
晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。
题型：填空题
栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型：判断题
双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。
题型：填空题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
题型：判断题
“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。
题型：填空题
晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。
题型：填空题
N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。
题型：判断题