氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。

绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。

第一块集成电路发明于（）年。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的控制作用。