A、初始水解期
B、钙矾石形成期
C、C3S水化期
D、结构形成和发展期
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A、抗冻性
B、碱-集料反应
C、抗炭化性
D、徐变性
A、稳定性
B、可塑性
C、和易性
D、易密性
A.正方
B.立方
C.三斜
D.等轴
A、慢冷
B、室温冷却
C、急冷
D、先慢冷再急冷
A、堆积密度大
B、触变性适当
C、含水率和水分的均匀性好
D、流动性好
A、配料比表示
B、物理组成表示
C、化学组成表示
D、实验公式表示
A.结晶物质
B.气孔
C.液相
D.玻璃态物质
A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
A.芒硝引入的Na2O/纯碱引入的Na2O
B.芒硝引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+纯碱引入的Na2O)
C.纯碱引入的Na2O/芒硝引入的Na2O
D.纯碱引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+纯碱引入的Na2O)
A.玻璃游离体
B.玻璃形成体
C.玻璃调整体
D.玻璃中间体
最新试题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()
硅片抛光在原理上不可分为()
在通常情况下,GaN呈()型结构。
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
下列哪个不是单晶常用的晶向()
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()