A、抗冻性
B、碱-集料反应
C、抗炭化性
D、徐变性
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A、稳定性
B、可塑性
C、和易性
D、易密性
A.正方
B.立方
C.三斜
D.等轴
A、慢冷
B、室温冷却
C、急冷
D、先慢冷再急冷
A、堆积密度大
B、触变性适当
C、含水率和水分的均匀性好
D、流动性好
A、配料比表示
B、物理组成表示
C、化学组成表示
D、实验公式表示
A.结晶物质
B.气孔
C.液相
D.玻璃态物质
A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
A.芒硝引入的Na2O/纯碱引入的Na2O
B.芒硝引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+纯碱引入的Na2O)
C.纯碱引入的Na2O/芒硝引入的Na2O
D.纯碱引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+纯碱引入的Na2O)
A.玻璃游离体
B.玻璃形成体
C.玻璃调整体
D.玻璃中间体
A.高低
B.低高
C.低低
D.高高
![](https://static.ppkao.com/ppmg/img/appqrcode.png)
最新试题
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()
下列是晶体的是()。
载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
铸造多晶硅中氢的主要作用包括()
改良西门子法的显著特点不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。