填空题共基极放大电路的高频特性比共射极电路(),fa=()fβ。
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假设NEMOSFET已工作在饱和区,若uDS继续增大时,沟道夹断点向漏极移动。
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I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输(注意图中未画出电容),要实现增益为15倍的放大电路,则RD=()kΩ。
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