问答题硅P-N结的N区施主浓度为1×1015cm-3,τh=1μs;P区受主浓度为6×1017cm-3,τe=5μs;Dh=1.3×10-3m2/s,De=3.5×10-3m2/s,试计算室温下空穴电流与电子电流之比jh/je,饱和电流密度j0以及在正向偏压0.3V时,流过P-N结的电流密度j。
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