MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

“合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中，目前生产最主要的一种是（）。

P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。