第一块集成电路发明于（）年。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

1947年，（）等人制造了第一个晶体管。

处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的控制作用。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。