p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

MOS管阈值电压的单位是eV。

处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的控制作用。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

第一块集成电路发明于（）年。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。